電容器介質(zhì)損耗因數(shù)的測(cè)試目的
電容器介質(zhì)損耗因數(shù)和電容器絕緣介質(zhì)的種類、厚度、浸漬劑的特性以及制造工藝有關(guān)。電容器tanδ的測(cè)量能靈敏地反映電容器絕緣介質(zhì)受潮、擊穿等絕緣缺陷,對(duì)制造過程中真空處理和剩余壓力、引線端子焊接不良、有毛刺、鋁箔或膜紙不平整等工藝的問題也有較靈敏的反應(yīng),所以說電容器介質(zhì)損耗因數(shù)是電容器絕緣優(yōu)劣的重要指標(biāo)。
耦合電容器測(cè)試介質(zhì)損耗因數(shù)的測(cè)試
測(cè)試接線
一般采用正接線,分析比較時(shí)采用反接線測(cè)量。正接線測(cè)試接線如圖5-4(a)所示,反接線測(cè)試接線如圖5-4(b)所示。采用正接線測(cè)量時(shí),耦合電容器高壓電極接測(cè)試電壓,法蘭接地,耦合電容器低壓電極小套管接電橋Cx端,若被試品沒有小套管, C,端與法蘭連接并墊絕緣物測(cè)量。采用反接線時(shí),耦合電容器高壓電極接電橋C,端法蘭和小套管接地。
測(cè)試步驟
采用正接線測(cè)量時(shí),先將被試電容器對(duì)地放電并接地,拆除被試電容器對(duì)外所有一次連接線,電容器法蘭接地,打開小套管接地線并與電橋C,端相連接,高壓引線接至電容器高壓電極,取下接地線,檢查接線無誤后,通知其他人員遠(yuǎn)離被試品并監(jiān)護(hù)。合上試驗(yàn)電源,從零開始升壓至測(cè)試電壓進(jìn)行測(cè)試,測(cè)試電壓為10kV。測(cè)試完畢后先將電壓降到零,然后讀取測(cè)量數(shù)據(jù),切斷電源,對(duì)被試品進(jìn)行放電并接地,拆除測(cè)試引線。特別注意小套管接地引線的恢復(fù)。
采用反接線測(cè)量時(shí),電橋Cx端接電容器高壓電極,低壓電極接地。測(cè)量下節(jié)耦合電容器時(shí)下法蘭和小套管接地,采用反接線測(cè)量時(shí),橋體接地應(yīng)直接與被試品接地點(diǎn)直接連接,測(cè)試電壓為10kV。
斷路器電容器介質(zhì)損耗因數(shù)的測(cè)試
測(cè)試接線
通常采用正接線,如圖5-5 所示,測(cè)量時(shí)被試電容器一端接測(cè)試電壓,另一端接電橋Cx端。如斷口電容器在安裝前測(cè)試,應(yīng)注意測(cè)量端要墊絕緣物。
測(cè)試步驟
1、交接時(shí)斷口電容器的tanδ 應(yīng)在安裝前測(cè)試,主要是避免斷路器滅弧室的影響。測(cè)試前先將被試電容器對(duì)地放電并接地,高壓引線接至斷路器電容器一端電極,電容器另一端接電橋Cx端。取下接地線,檢查接線無誤后,通知其他人員遠(yuǎn)離被試電容器。合上試驗(yàn)電源,從零開始升壓至測(cè)試電壓進(jìn)行測(cè)試,測(cè)試電壓為10kV。測(cè)試完畢后將電壓降到零后讀取測(cè)量數(shù)據(jù),然后切斷電源,對(duì)被試品進(jìn)行放電并接地
2、預(yù)防性試驗(yàn)時(shí),如果測(cè)試數(shù)據(jù)偏大,可將電容器拆下進(jìn)行測(cè)試。
電容器介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試注意事項(xiàng)
測(cè)試電容器介質(zhì)損耗因數(shù)的注意事項(xiàng)有:
1、測(cè)試應(yīng)在良好的天氣下進(jìn)行,電容器本身及環(huán)境溫度不低于+5℃,電容器表面臟污、潮濕時(shí),應(yīng)采取擦拭和烘干等措施減少表面泄漏電流的影響,必要時(shí)加屏蔽環(huán)屏蔽表面泄漏電流。
2、采用反接線測(cè)量時(shí),電橋本體用截面較大的裸銅導(dǎo)線可靠接地,接地點(diǎn)應(yīng)直接與被試品接地點(diǎn)直接連接
3、接線緊湊、布置合理,注意電場(chǎng)、磁場(chǎng)干擾。測(cè)試現(xiàn)場(chǎng)如有電場(chǎng)或磁場(chǎng)干擾應(yīng)采用移相法、倒相法或變頻法等抗干擾法進(jìn)行測(cè)量。
4、高壓引線連接應(yīng)緊密牢靠,否則接觸電阻會(huì)對(duì)膜紙復(fù)合絕緣電容器 tanδ帶來誤差。
5、測(cè)試前必須檢查電容器是否漏油。如漏油,則電容器應(yīng)退出運(yùn)行,不必進(jìn)行測(cè)試。
6、電容器 tanδ測(cè)量通常采用正接線。如果檢查瓷套絕緣狀況,可使用反接線測(cè)試,反接線能反映瓷套裂紋及內(nèi)壁受潮的絕緣缺陷。
例如
一臺(tái)型號(hào)為 OY-110/√3-0.01的耦合電容器,原始tanδ測(cè)試數(shù)據(jù)是0.2%,電容量0.00998μF,測(cè)試環(huán)境溫度 29℃,本次測(cè)試數(shù)據(jù) 0.3%,電容量0.011μF,測(cè)試環(huán)境溫度30℃,tanδ增大,電容量增長(zhǎng)明顯,仔細(xì)檢查發(fā)現(xiàn)耦合電容器上法蘭與瓷套結(jié)合處滲油。分析認(rèn)為耦合電容器密封不嚴(yán)進(jìn)水受潮,導(dǎo)致絕緣劣化。因?yàn)榱己玫挠图埥^緣的tan在10~30℃范圍內(nèi)是穩(wěn)定的或變化很小的,只有絕緣劣化, tanδ變化才會(huì)明顯,電容量增大顯著,說明電容器進(jìn)水受潮,因?yàn)樗慕殡娤禂?shù)比電容器油要高。
7、電容器內(nèi)部元件為串聯(lián)、并聯(lián)結(jié)構(gòu),特別是耦合電容器等電容器串聯(lián)元件較多,,別元件短路、開路或劣化,tanδ反應(yīng)并不是很靈敏,還要結(jié)合電容量的變化綜合判斷。